| 型号： | PEMD19,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| PEMD19,115 PDF |  |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 934058924115 PEMD19 T/R PEMD19 T/R-ND |